<sub id="3nxhj"><listing id="3nxhj"></listing></sub>

      1. 首頁>技術創新>科技知乎
        技術創新 Innovation
        科技知乎
        鋰離子電池極片制造有哪些工序
          極片制造主要包括制漿、涂布、輥壓、分切,其中制漿是將正、負極原材料(粉狀)各自添加溶劑、粘結劑等化學物質進行混合、攪拌,得到一定粘度的正、負極漿料,攪拌過程需在真空狀態下進行,避免漿料受到污染、混入氣泡;涂布是將攪拌完成的漿料通過涂布機構均勻涂覆到鋁箔或銅箔的正反面上并進行烘干,涂覆精度要求高,極差需控制在幾個微米內,烘干時不能過分干燥或干燥程度不夠,否則將影響后續電芯的制作;輥壓顧名思義是將烘干的極片通過施加軋制力的對輥,增加極片涂層密實度,輥壓過程對軋制力的控制至關重要,太大易損傷極片,太小則達不到要求的密實度;分切是用分切機將極片分切成各種規格的條狀極片,以用于后續卷繞或疊片,切面毛刺、波浪邊、掉粉是極片分切過程中重點控制的現象。
        Particle量測的原理是什么?
          Particle量測機臺采用的是無圖案硅片表面缺陷檢測系統,無圖案硅片表面缺陷檢測系統本身不能直接成像,而是通過收集硅片表面的散射光來確定缺陷的存在與否,并通過"關聯曲線"將缺陷的散射光強度轉化為缺陷的等效尺寸。
          檢測儀器主要由(1)光學系統、(2)硅片運送及承載系統、(3)信號處理系統、(4)用戶界面軟件四部分構成。其中光學系統和硅片運送及承載系統是主體結構,負責掃描硅片并生成掃描信號。信號處理系統由系列電路板組成,主要作用是對掃描信號進行分析處理。數據處理的結果被傳送到用戶界面軟件,經過軟件處理后以各種形式顯示在用戶面前。
          該檢測儀器所采用的是暗場(Dark Field)式光學系統。所謂光學暗場,就是在光束入射目標后,忽略掉其一次直接反射的光,而只收集其余光線的一種光路類型,本儀器收集的是除去其直接反射光以外的散射光線。
        晶圓摻雜物對氧化速率有什么影響?
        用來制造芯片的晶圓都是經過摻雜的,另外在以后的工藝中,還要用熱擴散或離子注入工藝完成摻雜。那么摻雜元素和濃度對氧化生長速率都有影響。例如,高摻雜濃度的硅表面要比低摻雜濃度的硅表面氧化速率快。而且高摻雜濃度的硅表面上的氧化層比在其他層上生長的氧化層的密度低。
          另一個對氧化生長速率有影響的是氧化完成后,硅中摻雜原子的分布。我們知道氧化時O2原子進入Si中與Si原子發生反應生成SiO2,問題是“在硅轉化成二氧化硅的同時,摻雜原子發生了什么?”,答案取決于摻雜物的導電類型。N型摻雜物(P、As、Sb)他們在硅中比在二氧化硅中有更高的溶解度。當氧化層碰到它們時,這些雜質將進入硅中,在硅與二氧化硅之間,就象鏟雪機推一個大雪堆一樣,結果是,N型摻雜物在硅與二氧化硅之間比在晶體里有更高的密度(稱之為二氧化硅的排磷作用)。
          當摻雜物是P型材料的硼(B)元素時,就會產生相反的結果。即硼原子被拉入二氧化硅層,導致在SiO2與Si交界處的硅原子被B 原子消耗盡(稱之為二氧化硅的吸硼作用)。
        什么是晶體缺陷?
        晶體內的原子是按一定的的原則周期性地排列著的。如果在晶體中的一些區域,這種排列遭到破壞,稱這種破壞為晶體缺陷。晶體缺陷對半導體材料的使用性影響很大,在大多數的情況下,它使器件性能劣化直至失效。因此在材料的制備過程中都要盡量排除缺陷或降低其密度。晶體缺陷的控制是材料制備的重要技術。
          晶體缺陷的種類:
        (1)點缺陷,如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷和由它們構成的復合體。
        (2)線缺陷,呈線狀排列,如位錯就是這種缺陷。
        (3)面缺陷,呈面狀,如晶界、堆垛層錯、相界等。
        (4)體缺陷,如空洞、夾雜物、雜質沉淀物等。
        (5) 微缺陷,幾何尺寸在微米級或更小,如點缺陷聚集物等。
        何謂退火?
        退火:也叫熱處理,集成電路工藝中所有的在氮氣等不活潑氣氛中進行的熱處理過程都可以稱為退火。
        a) 激活雜質:使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置,以便具有電活性,產生自由載流子,起到雜質的作用;
        b) 消除損傷:離子植入后回火是為了修復因高能加速的離子直接打入芯片而產生的損毀區(進入底材中的離子行進中將硅原子撞離原來的晶格位置,致使晶體的特性改變)。而這種損毀區,經過回火的熱處理后即可復原。這種熱處理的回火功能可利用其溫度、時間差異來控制全部或局部的活化植入離子的功能;
        c) 氧化制程中的回火主要是為了降低界面態電荷,降低SiO2的晶格結構。
        LPCVD是什么?
        化學氣相沉積(CVD)是利用氣態物質通過化學反應在基片表面形成固態薄膜的一種成膜技術。CVD反應是指反應物為氣體而生成物之一為固體的化學反應。這是最常在半導體制程中使用的技術。通?;瘜W氣相沉積法包含有下列五個步驟:
        1. 反應氣體向基片表面擴散;
        2. 反應氣體吸附于基片表面;
        3. 在基片表面發生化學反應;
        4. 在基片表面產生的氣相副產物脫離表面,向空間擴散或被抽氣系統抽走;
        5. 基片表面留下不揮發的固相反應產物——薄膜。
        最常用的化學氣相沉積法有常壓化學氣相沉積法(Atmospheric-pressure CVD,APCVD)、低壓化學氣相沉積法(Low-pressure CVD,LPCVD)和等離子增強化學氣相沉積法(Plasma-enhanced CVD,PECVD)
        什么是質量流量計?
        質量流量計(MFM)屬于一種工業自動化儀表,可以應用到對各種氣體(含蒸汽)進行測量,目前常用的測量原理有:量熱式、角動量式、振動陀螺式、馬格努斯效應式和科里奧利力式,NAURA研制生產的是量熱式質量流量計,質量流量計(MFM)可以精密測量氣體的質量流量。
        什么是質量流量控制器?
        質量流量控制器屬于一種工業自動化儀表,它的國際通稱“MASS FLOW CONTROLLER”(簡稱MFC),它通常由流量傳感器、流量調節閥、放大控制電路和分流器控制通道等部件組成。它的工作電源及流量顯示和設定等操作由與其配套的流量顯示電源提供。
        質量流量傳感器采用毛細管傳熱溫差量熱法原理測量氣體的質量流量(無需溫度和壓力補償)。將傳感器加熱電橋測得的流量信號送入放大器放大,放大后的流量測量電壓與設定電壓進行比較,再將差值信號放大后去控制調節閥,通過閉環控制來控制通過的流量,并使之與設定的流量相等。分流器決定主通道的流量。
        久久电影院